Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.470.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 32’800 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +CHF.0.588CHF.469.56

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-5894
Herst. Teile-Nr.:
IRF540NSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 33A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRF540NSTRLPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration arbeitet er im Anreicherungsmodus mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 33 A und einer Durchbruchspannung von 100 V. Das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in Leiterplatten und erhöht die Vielseitigkeit in modernen Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) von 44mΩ verbessert die Schaltungseffizienz

• Hohe Verlustleistung von 130 W unterstützt robuste Anwendungen

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit minimiert den Energieverlust während des Betriebs

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C für unterschiedliche Umgebungen

• Die bleifreie Konstruktion entspricht den heutigen Umweltstandards

Anwendungsbereich


• Energiemanagement in Automatisierungssystemen

• Hocheffiziente Stromversorgungen für die Elektronik

• Motorsteuerung in der Elektrotechnik

• Systeme für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung

Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung für dieses Bauelement?


Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt ±20 V, was einen sicheren Betrieb in typischen Schaltungen ermöglicht.

Wie funktioniert das Wärmemanagement dieses Geräts?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 130 W und einem Wärmewiderstand von 1,15 °C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse sorgt er für ein effektives Wärmemanagement im Betrieb.

Wie hoch ist die typische Gate-Ladung bei 10 V?


Die typische Gate-Ladung bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V beträgt 71 nC, was schnelle Reaktionszeiten bei Schaltanwendungen gewährleistet.

Kann dieses Gerät auf Standardplatinen montiert werden?


Ja, er ist in einem D2PAK-Gehäuse untergebracht und eignet sich daher für oberflächenmontierte Anwendungen auf Standard-Leiterplattenlayouts.

Was ist die Bedeutung des Anreicherungsmodus in diesem MOSFET?


Der Anreicherungsmodus ermöglicht eine bessere Kontrolle über den Leitungszustand und damit eine bessere Leistung bei Schaltanwendungen.

Verwandte Links