Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 48.1 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-6284
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6284
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0088Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 810mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0088Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 810mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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