Vishay Einfach Si7129DN Typ P, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 35 A 52.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 165-6294
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-6294
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | Si7129DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 3.15mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 3.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie Si7129DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52.1W | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 3.15mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 3.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Einfach Si7129DN Typ P, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 35 A 52.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay IGBT 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Typ P-Kanal Oberfläche
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 8.9 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 13.2 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 18 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.8 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8