Vishay Einfach TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS407ADN-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7892
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.11.98
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.599 | CHF.11.97 |
| 200 - 480 | CHF.0.588 | CHF.11.74 |
| 500 - 980 | CHF.0.462 | CHF.9.22 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.368 | CHF.7.43 |
| 2000 + | CHF.0.336 | CHF.6.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7892
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 3.61mm | |
| Höhe | 0.79mm | |
| Breite | 3.61 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 3.61mm | ||
Höhe 0.79mm | ||
Breite 3.61 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 20V and maximum gate-source voltage of 8V. It has a drain-source resistance of 9mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 39.1W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free component
• Low thermal resistance PowerPAK package
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Battery management
• Load switches
Verwandte Links
- Vishay Einfach TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 18 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS413DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.8 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7119DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin SISA04DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin SiS178LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin SISS23DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin SISA10DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin SISS27DN-T1-GE3 PowerPAK 1212