Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 165-6920
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6920
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen III | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET Gen III | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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