Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-7676
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA11N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 8.10 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 85.85
Auf Lager
- Zusätzlich 450 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.717 | CHF 86.05 | - |
| 100 - 200 | CHF 1.636 | CHF 81.76 | CHF 8.10 |
| 250 + | CHF 1.535 | CHF 76.61 | CHF 45.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-7676
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA11N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.85mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.85mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.3 A 32 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 313 W, 3-Pin TO-247