Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 3-Pin TO-220FP IRLIZ34NPBF

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RS Best.-Nr.:
165-8101
Herst. Teile-Nr.:
IRLIZ34NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

HEXFET

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

10.6mm

Höhe

8.9mm

Breite

4.8 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 22A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 37W maximale Verlustleistung - IRLIZ34NPBF


Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Anwendungen konzipiert und bietet wesentliche Eigenschaften für Profis in der Automatisierung und Elektronik. Seine N-Kanal-Konfiguration arbeitet im Anreicherungsmodus und eignet sich daher für eine Reihe von Aufgaben. Das Design gewährleistet eine robuste Leistung in Anwendungen, die ein zuverlässiges Schalt- und Energiemanagement erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• Bewältigt einen kontinuierlichen Ableitstrom von bis zu 22 A für eine solide Leistung

• Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 55 V für vielseitige Anwendungen

• Niedriger Wärmewiderstand verbessert die Wärmeableitung

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Reaktionsfähigkeit des Systems

• Hohe Verlustleistung für stabilen Betrieb

• Kompaktes TO-220-Gehäuse vereinfacht die Installation und maximiert den Platzbedarf

Anwendungsbereich


• Leistungsstarke in elektrischen Schaltungen

• Robotik und Automatisierungssysteme

• Energiemanagement für elektronische Geräte

• Motorantriebe und Umrichter

• Stromversorgungsschaltungen für mehr Effizienz

Wie verhält sich das Gerät bei unterschiedlichen Temperaturen?


Dieser MOSFET arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.

Welche Art von Schaltkreiskonfiguration ist damit kompatibel?


Er eignet sich gut für Schaltungen, die eine N-Kanal-MOSFET-Funktionalität erfordern und hohe Stromflüsse und Spannungspegel effektiv verwalten.

Welche Auswirkungen hat die Schwellenspannung des Gates?


Mit einer Gate-Schwellenspannung zwischen 1V und 2V ermöglicht er das Schalten bei niedrigen Spannungen und erleichtert so die Integration in Steuerschaltungen.

Wie beeinflusst das Wärmemanagement seinen Betrieb?


Ein effizientes Wärmemanagement ist von entscheidender Bedeutung, damit das Gerät seine Leistung ohne Überhitzung aufrechterhalten kann, insbesondere bei Anwendungen mit hoher Leistung oder im Dauerbetrieb.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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