Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 166-1055
Herst. Teile-Nr.:: IRFI540NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

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Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 54W maximale Verlustleistung - IRFI540NPBF

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Elektronikindustrie entwickelt. Er spielt eine entscheidende Rolle beim Energiemanagement und bietet eine zuverlässige Lösung zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale. Es kann erhebliche Spannungs- und Stromlasten bewältigen und sorgt so für Effizienz in modernen elektronischen Geräten.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Stromaufnahme bis zu 20A
• Nennspannung von 100 V für dauerhafte Leistung
• Niedrige Gate-Schwellenspannung erhöht die Schalteffizienz
• Hohe Verlustleistung von bis zu 54 W für Langlebigkeit
• N-Kanal-Enhancement-Mode-Design für eine Vielzahl von Anwendungen
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ minimiert den Energieverlust

Anwendungsbereich

• Verwendung in Stromversorgungen für elektronische Schaltungen
• Anwendbar in Kraftfahrzeug-Energieverwaltungssystemen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur Steigerung der Effizienz
• Wichtig für die Energieumwandlung in erneuerbaren Energiesystemen
• Eingesetzt in automatisierten Maschinen für effektive Kontrollprozesse

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom für dieses Gerät?

Das Gerät unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 20 A und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V, was ein effizientes Schalten bei niedrigeren Steuerspannungen ermöglicht und die Leistung verbessert.

Kann dieses Gerät in Umgebungen mit hohen Temperaturen betrieben werden?

Ja, er kann bei Temperaturen von bis zu +175 °C arbeiten und garantiert so Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?

Es ist für die Durchsteckmontage geeignet und ermöglicht sichere Verbindungen und ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Anwendungen.

Welche Vorteile bringt ein niedriger Drain-Source-Widerstand?

Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ verringert die Wärmeentwicklung erheblich und verbessert den Wirkungsgrad, insbesondere bei Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	52 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	54 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	94 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	8.9mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C