Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 166-1055
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI540NPBF
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 50 | CHF 1.03 | CHF 51.46 |
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| 250 - 450 | CHF 0.97 | CHF 48.73 |
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- RS Best.-Nr.:
- 166-1055
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI540NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.63mm | |
| Höhe | 8.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.63mm | ||
Höhe 8.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 54W maximale Verlustleistung - IRFI540NPBF
Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Elektronikindustrie entwickelt. Er spielt eine entscheidende Rolle beim Energiemanagement und bietet eine zuverlässige Lösung zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale. Es kann erhebliche Spannungs- und Stromlasten bewältigen und sorgt so für Effizienz in modernen elektronischen Geräten.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierliche Stromaufnahme bis zu 20A
• Nennspannung von 100 V für dauerhafte Leistung
• Niedrige Gate-Schwellenspannung erhöht die Schalteffizienz
• Hohe Verlustleistung von bis zu 54 W für Langlebigkeit
• N-Kanal-Enhancement-Mode-Design für eine Vielzahl von Anwendungen
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ minimiert den Energieverlust
Anwendungsbereich
• Verwendung in Stromversorgungen für elektronische Schaltungen
• Anwendbar in Kraftfahrzeug-Energieverwaltungssystemen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur Steigerung der Effizienz
• Wichtig für die Energieumwandlung in erneuerbaren Energiesystemen
• Eingesetzt in automatisierten Maschinen für effektive Kontrollprozesse
Wie hoch ist der maximale Dauerstrom für dieses Gerät?
Das Gerät unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 20 A und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?
Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V, was ein effizientes Schalten bei niedrigeren Steuerspannungen ermöglicht und die Leistung verbessert.
Kann dieses Gerät in Umgebungen mit hohen Temperaturen betrieben werden?
Ja, er kann bei Temperaturen von bis zu +175 °C arbeiten und garantiert so Leistung unter schwierigen Bedingungen.
Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?
Es ist für die Durchsteckmontage geeignet und ermöglicht sichere Verbindungen und ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Anwendungen.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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