Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 541-2470
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-337
Herst. Teile-Nr.:: IRFI540NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 541-2470
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-337
Herst. Teile-Nr.:: IRFI540NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	52mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	54W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	94nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.63mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.9mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 54W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.63mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.9mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 54W maximale Verlustleistung - IRFI540NPBF

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Elektronikindustrie entwickelt. Er spielt eine entscheidende Rolle beim Energiemanagement und bietet eine zuverlässige Lösung zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale. Es kann erhebliche Spannungs- und Stromlasten bewältigen und sorgt so für Effizienz in modernen elektronischen Geräten.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Stromaufnahme bis zu 20A

• Nennspannung von 100 V für dauerhafte Leistung

• Niedrige Gate-Schwellenspannung erhöht die Schalteffizienz

• Hohe Verlustleistung von bis zu 54 W für Langlebigkeit

• N-Kanal-Enhancement-Mode-Design für eine Vielzahl von Anwendungen

• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ minimiert den Energieverlust

Anwendungsbereich

• Verwendung in Stromversorgungen für elektronische Schaltungen

• Anwendbar in Kraftfahrzeug-Energieverwaltungssystemen

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur Steigerung der Effizienz

• Wichtig für die Energieumwandlung in erneuerbaren Energiesystemen

• Eingesetzt in automatisierten Maschinen für effektive Kontrollprozesse

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom für dieses Gerät?

Das Gerät unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 20 A und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V, was ein effizientes Schalten bei niedrigeren Steuerspannungen ermöglicht und die Leistung verbessert.

Kann dieses Gerät in Umgebungen mit hohen Temperaturen betrieben werden?

Ja, er kann bei Temperaturen von bis zu +175 °C arbeiten und garantiert so Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?

Es ist für die Durchsteckmontage geeignet und ermöglicht sichere Verbindungen und ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Anwendungen.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.