onsemi SuperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-1748
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB20N60TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- FCB20N60TM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.65mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.65mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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