IXYS Linear Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 22 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4610
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTN22N100L
- Marke:
- IXYS
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- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | Linear | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 700W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 270nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 38.2mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie Linear | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 700W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 270nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 38.2mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.
MOSFET-Transistoren, IXYS
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