IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 110 A 1.89 kW, 3-Pin PLUS264

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RS Best.-Nr.:
168-4726
Herst. Teile-Nr.:
IXFB110N60P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PLUS264

Serie

HiperFET, Polar3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

1.89kW

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

245nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

26.59mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Länge

20.29mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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