IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 110 A 1.89 kW, 3-Pin PLUS264

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.20.696

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.20.70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
802-4344
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-299
Herst. Teile-Nr.:
IXFB110N60P3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PLUS264

Serie

HiperFET, Polar3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

245nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.89kW

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

26.59mm

Breite

5.31 mm

Länge

20.29mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Recently viewed