IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4728
Herst. Teile-Nr.:: IXFH20N50P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-4728
Herst. Teile-Nr.:: IXFH20N50P3
Marke:: IXYS

IXFA20N50P3, IXFP20N50P3, IXFQ20N50P3, IXFH20N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	380 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	16.26mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Breite	5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	21.46mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™