IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 60 A 1.04 kW, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.220.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 30 Einheit(en) mit Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30CHF.7.35CHF.220.37
60 - 120CHF.6.983CHF.209.35
150 +CHF.6.615CHF.198.32

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4730
Herst. Teile-Nr.:
IXFH60N50P3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

96nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.04kW

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.46mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3 mm

Länge

16.26mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links