IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin IXFN100N50Q3 SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4752
Herst. Teile-Nr.:: IXFN100N50Q3
Marke:: IXYS

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Herst. Teile-Nr.:: IXFN100N50Q3
Marke:: IXYS

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	82A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	SOT-227
	Montageart	Panel
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	49mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	255nC
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	960W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	25.07 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	38.23mm
	Höhe	9.6mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke IXYS
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße SOT-227
	Montageart Panel
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 255nC
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 960W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 25.07 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 38.23mm
	Höhe 9.6mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin IXFN100N50Q3 SOT-227

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

MOSFET-Transistoren, IXYS

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