IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 500 A 830 W, 24-Pin SMPD

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RS Best.-Nr.:
168-4790
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F520N075T2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

24

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

545nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.7mm

Breite

23.25 mm

Länge

25.25mm

Automobilstandard

Nein

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