IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 500 A 830 W, 24-Pin SMPD
- RS Best.-Nr.:
- 168-4790
- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1F520N075T2
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Gehäusegröße | SMPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 545nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 23.25 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.7mm | |
| Länge | 25.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Gehäusegröße SMPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 24 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 545nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 23.25 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.7mm | ||
Länge 25.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
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