Infineon DirectFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX
- RS Best.-Nr.:
- 168-5976
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7946TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (4800 Stück, auf einer Rolle mit 4800)*
CHF 4'992.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4800 + | CHF 1.04 | CHF 4'998.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-5976
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7946TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 198A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | MX | |
| Serie | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 141nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 198A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße MX | ||
Serie DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 141nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.53mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET
- Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 81 A 42 W, 2-Pin DirectFET
- Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 150 A 89 W, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 45 W, 7-Pin DirectFET