Infineon DirectFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX
- RS Best.-Nr.:
- 168-5976
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7946TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 168-5976
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7946TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 198A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | MX | |
| Serie | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 141nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 530μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.05mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 198A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße MX | ||
Serie DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 141nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 530μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.05mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET
- Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 81 A 42 W, 2-Pin DirectFET
- Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 150 A 89 W, 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 45 W, 7-Pin DirectFET