Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET

RS Best.-Nr.:: 257-9313
Herst. Teile-Nr.:: IRF7480MTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9313
Herst. Teile-Nr.:: IRF7480MTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	217A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	DirectFET
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.2mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	96W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	123nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 217A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße DirectFET
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 96W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF7480MTRPBF

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET ME-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.

Zweifachseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine ROHS-Ausnahmeregelung)

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET

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