STMicroelectronics Einfach MDmesh M2 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 4.5 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 168-6980
- Herst. Teile-Nr.:
- STB6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 168-6980
- Herst. Teile-Nr.:
- STB6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25, -25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 9.35mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25, -25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 9.35mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmeshTM Serie M2, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer niedrigen Gate-Ladung und ihren ausgezeichneten Ausgangskapazitätseigenschaften eignet sich die MDmesh M2-Serie perfekt für den Einsatz in Schaltnetzteilen des Resonanztyps (LLC-Wandler).