STMicroelectronics Einfach Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 800 V Erweiterung / 2.5 A 38 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 168-7111
- Herst. Teile-Nr.:
- STL4N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 168-7111
- Herst. Teile-Nr.:
- STL4N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 5.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 5.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmeshTM K5-Serie, SuperMESH5TM, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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