STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A 38 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
168-7111
Herst. Teile-Nr.:
STL4N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

PowerFLAT 5 x 6

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10,5 nC @ 10 V

Breite

5.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.35mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.95mm

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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