STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.85 A 70 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 168-7526
- Herst. Teile-Nr.:
- STU2NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*
CHF.51.225
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.0.683 | CHF.50.95 |
| 150 - 450 | CHF.0.525 | CHF.39.77 |
| 525 - 900 | CHF.0.452 | CHF.33.62 |
| 975 - 4950 | CHF.0.378 | CHF.28.04 |
| 5025 + | CHF.0.357 | CHF.26.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7526
- Herst. Teile-Nr.:
- STU2NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.9mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.85 A 70 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin STD3NK80Z-1 IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin STD5NM60T4 IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin STD1NK60-1 IPAK
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A 45 W, 3-Pin IPAK