STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A 190 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-7585
- Herst. Teile-Nr.:
- STW75NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.92.61
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.3.087 | CHF.92.52 |
| 60 - 120 | CHF.3.003 | CHF.90.12 |
| 150 + | CHF.2.93 | CHF.87.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7585
- Herst. Teile-Nr.:
- STW75NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie STripFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A 190 W, 3-Pin STW75NF20 TO-247
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin STB75NF75LT4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin STB75NF20 TO-263
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin TO-263