Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-7929
Herst. Teile-Nr.:
IRF7309TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

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