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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	International Rectifier
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	11A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	IRF7424PbF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	22mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	75nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4 mm
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke International Rectifier
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie IRF7424PbF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4 mm
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Der Infineon IRF7424 ist ein 30-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem SO-8-Gehäuse. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Kabelrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrize-Fähigkeit modifiziert und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.

RoHS-konform

Branchenführende Qualität

Pinbelegung nach Industriestandard

P-Kanal-MOSFET

International Rectifier IRF7424PbF Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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