Infineon IPB020N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 170-2293
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPB020N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.2'687.00

Auf Lager

3'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	CHF 2.687	CHF 2'689.63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 170-2293
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	176A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IPB020N10N5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	168nC
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	11.05mm
	Höhe	4.57mm
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 176A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IPB020N10N5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 11.05mm
	Höhe 4.57mm
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard Nein

Infineon IPB020N10N5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 176 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPB020N10N5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Oberflächenmontage von Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Durchlassspannung, um eine effiziente Energieübertragung zu unterstützen, während sein Gehäuse und seine Pinanzahl für automatisierte Montage- und Wärmemanagementstrategien geeignet sind.

Merkmale und Vorteile:

• Rds(on) von 2,5 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Der Ablasswert von 100 V ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungs-System
• Die Dauerstromkapazität von 176 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 168 nC optimiert die Ein- und Ausschaltkontrolle
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C verträgt raue Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Leistungsstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenkonfigurationen
• Einsatz mit Server-Stromversorgungen und Telekommunikations-Gleichrichtern
• Kann für Batteriemanagement und Hochstromschaltung verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wechselrichter und Zughilfsysteme

Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten auf kupfergeerdete Leiterplatten vorgesehen ist, um die Wärmeleitung zu erleichtern.

Wie wirkt sich die Gate-Spannungstoleranz auf die Wahl der Antriebsstromkreise aus?

Die Gate-Source-Bewertung ermöglicht Antriebsamplituden bis zu 20 V, daher sollten Gate-Treiber ausgewählt werden, um diese Grenze nicht zu überschreiten und gleichzeitig ausreichende Vgs für niedrige Rds(on) zu liefern.

Welche Überlegungen zum Wärmemanagement werden empfohlen?

Aufgrund der Verlustleistung von 375 W sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche, Wärmeleitungen und einen Wärmeableiter verwenden, um während des kontinuierlichen Hochstrombetriebs Wärme aus dem Gehäuse zu extrahieren.

Wie viele Anschlüsse sind für die Schaltungsintegration verfügbar?

Das Gerät verfügt über fünf Pins, was eine herkömmliche Strom- und Gate-Schnittstelle in TO-263-Layouts mit mehreren Pins ermöglicht.