Teile-Nr.

Infineon IPB020N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 170-2293
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPB020N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 170-2293
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	176A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IPB020N10N5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	168nC
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.57mm
	Breite	11.05 mm
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 176A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IPB020N10N5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.57mm
	Breite 11.05 mm
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard Nein

Der Infineon IPB020N10N5 ist ein OptiMOS 5 100-V-Leistungs-MOSFET in D2PAK-Gehäuse mit 22 % niedrigerem RDS(on). Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken entwickelt, einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Infineon IPB020N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

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