Infineon IPB020N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 171-1955
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 5 - 20 | CHF 7.393 | CHF 36.98 |
| 25 - 95 | CHF 6.292 | CHF 31.46 |
| 100 - 245 | CHF 5.444 | CHF 27.23 |
| 250 - 495 | CHF 5.171 | CHF 25.84 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1955
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 176A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPB020N10N5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 168nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 11.05mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 176A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPB020N10N5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 11.05mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPB020N10N5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 176 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPB020N10N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Oberflächenmontage von Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Durchlassspannung, um eine effiziente Energieübertragung zu unterstützen, während sein Gehäuse und seine Pinanzahl für automatisierte Montage- und Wärmemanagementstrategien geeignet sind.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 2,5 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Der Ablasswert von 100 V ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungs-System
• Die Dauerstromkapazität von 176 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 168 nC optimiert die Ein- und Ausschaltkontrolle
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C verträgt raue Temperaturen
• Der Ablasswert von 100 V ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungs-System
• Die Dauerstromkapazität von 176 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 168 nC optimiert die Ein- und Ausschaltkontrolle
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C verträgt raue Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Leistungsstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenkonfigurationen
• Einsatz mit Server-Stromversorgungen und Telekommunikations-Gleichrichtern
• Kann für Batteriemanagement und Hochstromschaltung verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wechselrichter und Zughilfsysteme
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenkonfigurationen
• Einsatz mit Server-Stromversorgungen und Telekommunikations-Gleichrichtern
• Kann für Batteriemanagement und Hochstromschaltung verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wechselrichter und Zughilfsysteme
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten auf kupfergeerdete Leiterplatten vorgesehen ist, um die Wärmeleitung zu erleichtern.
Wie wirkt sich die Gate-Spannungstoleranz auf die Wahl der Antriebsstromkreise aus?
Die Gate-Source-Bewertung ermöglicht Antriebsamplituden bis zu 20 V, daher sollten Gate-Treiber ausgewählt werden, um diese Grenze nicht zu überschreiten und gleichzeitig ausreichende Vgs für niedrige Rds(on) zu liefern.
Welche Überlegungen zum Wärmemanagement werden empfohlen?
Aufgrund der Verlustleistung von 375 W sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche, Wärmeleitungen und einen Wärmeableiter verwenden, um während des kontinuierlichen Hochstrombetriebs Wärme aus dem Gehäuse zu extrahieren.
Wie viele Anschlüsse sind für die Schaltungsintegration verfügbar?
Das Gerät verfügt über fünf Pins, was eine herkömmliche Strom- und Gate-Schnittstelle in TO-263-Layouts mit mehreren Pins ermöglicht.
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