Infineon IPT015N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 9-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 170-2320
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT015N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2320
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT015N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IPT015N10N5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.58 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IPT015N10N5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.58 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon MOSFET
Der Infineon HSOF-8 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 1,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 300 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• 100 % Lawinengeprüft
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM)
• Halogenfrei
• Höchste Systemeffizienz
• Ideal für hohe Schaltfrequenz
• Erhöhte Leistungsdichte
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Niederspannungs-/Überschwingen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für synchrone Gleichrichtung
• Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
• RDS-Reduzierung (ein) von bis zu 44 %
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)
Anwendungen
• Adapter
• Leichte Elektrofahrzeuge
• Niederspannungsantriebe
• Servernetzteile
• Solar
• Telekommunikation
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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