Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin IAUT300N10S5N015ATMA1 HSOF

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Herst. Teile-Nr.:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

166nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

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