Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 214-4346
Herst. Teile-Nr.:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4346
Herst. Teile-Nr.:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	OptiMOS 5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	166nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie OptiMOS 5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 166nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUT300N10S5N015ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit hoher Leistung, das für anspruchsvolle Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für raue Bedingungen geeignet ist, und ist für die Oberflächenmontage in einer HSOF-Abmessung nach Industriestandard gefertigt, die einen geringen Vorwärtsfall für eine effiziente Leitfähigkeit in Hochstromkreisen bietet.

Merkmale und Vorteile:

• 100 V Drain-Fähigkeit ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• Niedrige Rds(on) von 1,5 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 300 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Ladung von 166 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
• Die Durchlassspannung von 1,3 V begrenzt den Spannungsabfall unter Last

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Traktions- und Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik
• Wird für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen verwendet
• Kann für Halbleiter-Stromverteilermodule verwendet werden
• Geeignet für schnelle Schaltstufen in Server-Stromversorgungen

Welche Gate-Drive-Festigkeit ist für ein effizientes Schalten erforderlich?

Erwarten Sie Gate-Treiber, die genügend Strom liefern und ableiten können, um 166 nC innerhalb des gewünschten Schaltintervalls zu laden

erhöht der langsame Antrieb die Schaltverluste.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Sperrschichttemperaturen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen, wenn ein entsprechendes Wärmemanagement durchgeführt wird.

Welche Befestigungsaspekte sind für die thermische Leistung wichtig?

HSOF für die Oberflächenmontage erfordert eine gut entwickelte Leiterplatten-Thermo-Erdungs- und Wärmeableitungsstrategie, um bis zu 375 W Leistung unter hoher Beanspruchung abzuleiten.

Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf das Schaltungsdesign aus?

Als N-Kanal-Verbesserungsgerät eignet er sich für Low-Side-Schalt- oder synchrone Gleichrichteranordnungen, bei denen die Gate-Referenz nahe am Quellpotenzial liegt.