Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.202
Auf Lager
- 1'872 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.101 | CHF.10.20 |
| 20 - 48 | CHF.4.606 | CHF.9.20 |
| 50 - 98 | CHF.4.282 | CHF.8.57 |
| 100 - 198 | CHF.3.979 | CHF.7.96 |
| 200 + | CHF.3.727 | CHF.7.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-3670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 237A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.58 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.58 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 375 W, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 362 A, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 314 A 358 W, 8-Pin PG-HSOF-8-1
