Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 236-3669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 237A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58 mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58 mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
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