Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 236-3669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 237A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
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