onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 560 mA 690 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-3526
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR4003NT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.126.00
Lieferengpass
- 21’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | CHF.0.042 | CHF.141.75 |
| 15000 + | CHF.0.042 | CHF.138.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-3526
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR4003NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 560mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 690mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.15nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 560mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 690mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.15nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 560 mA 690 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 560 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,1 A 690 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 380 mA 420 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 750 mA 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 700 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 220 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 115 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23