Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 4.4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 170-8297
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 170-8297
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- SQ4920EY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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