Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 92 A 81 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
171-2201
Herst. Teile-Nr.:
TPH3R704PL
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

5 mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Hocheffiziente DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Motortreiber

Hochgeschwindigkeitsschalten

Geringe Gate-Ladung: QSW = 8,1 nC (typ.)

Geringe Ausgangsladung: Qoss = 20,2 nC (typ.)

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Verbesserungsmodus: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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