Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin TJ60S04M3L TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
TJ60S04M3L
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Anwendungsbereich

Kfz

Motortreiber

DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Merkmale

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 7,0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)

Verbesserungsmodus: Vth = -2,0 bis -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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