Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin TJ15P04M3 TO-252

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171-2473
Herst. Teile-Nr.:
TJ15P04M3
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

48mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.18 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)Verbesserungsmodus: Vth = –0,8 bis –2,0 V (VDS = –10 V, ID = -0,1 mA)Anwendungen:MotortreiberStromversorgungsschalter

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