Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 7.18mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 7.18mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)Verbesserungsmodus: Vth = –0,8 bis –2,0 V (VDS = –10 V, ID = -0,1 mA)Anwendungen:MotortreiberStromversorgungsschalter
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