- RS Best.-Nr.:
- 171-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
Voraussichtlich ab 07.10.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)
CHF.0.357
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
2000 - 2000 | CHF.0.357 | CHF.720.30 |
4000 - 8000 | CHF.0.336 | CHF.663.60 |
10000 + | CHF.0.305 | CHF.617.40 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 171-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- TJ15P04M3
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = –40 V)Verbesserungsmodus: Vth = –0,8 bis –2,0 V (VDS = –10 V, ID = -0,1 mA)Anwendungen:MotortreiberStromversorgungsschalter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 48 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
Verlustleistung max. | 29 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 7.18mm |
Länge | 6.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
Höhe | 2.3mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |