ROHM RD3P200SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin RD3P200SNTL TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 172-0472
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P200SNTL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.50
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | CHF.1.05 | CHF.10.52 |
| 250 - 740 | CHF.0.924 | CHF.9.22 |
| 750 - 1190 | CHF.0.903 | CHF.9.01 |
| 1200 - 1990 | CHF.0.872 | CHF.8.76 |
| 2000 + | CHF.0.861 | CHF.8.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-0472
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P200SNTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RD3P200SN | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RD3P200SN | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.4 mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der RD3P200SN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
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