ROHM R6520ENX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
177-6115
Herst. Teile-Nr.:
R6520ENX
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R6520ENX

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.8 mm

Länge

10.3mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Der R6520ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schnellem Schalten, geeignet für die Schaltanwendung.

Geringer Durchlasswiderstand

Hohe Umschaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-freie Beschichtung

Verwandte Links