Microchip TN2540 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 260 mA 1.6 W, 3-Pin TN2540N8-G TO-243
- RS Best.-Nr.:
- 177-9854
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.13.34
Auf Lager
- Zusätzlich 1’940 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.1.334 | CHF.13.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-9854
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-243 | |
| Serie | TN2540 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Länge | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-243 | ||
Serie TN2540 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 2.6 mm | ||
Länge 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Verwandte Links
- Microchip TN2540 N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 260 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip TP2540 P-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 125 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip DN2540 N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 30 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA
- Microchip N-Kanal, THT MOSFET 400 V TO-92
- Microchip N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 500 mA 15 W, 3-Pin TO-220
- Microchip DN2540 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 400 V / 120 mA, 3-Pin TO-92
- Microchip N-Kanal, THT MOSFET 400 V DPAK