Microchip TP2540 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 125 mA 1.6 W, 3-Pin TP2540N8-G TO-243
- RS Best.-Nr.:
- 177-9867
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 177-9867
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | TP2540 | |
| Gehäusegröße | TO-243 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie TP2540 | ||
Gehäusegröße TO-243 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
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