Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 823-5500
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-428
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF 0.303 | CHF 15.25 |
| 250 - 450 | CHF 0.212 | CHF 10.40 |
| 500 - 1200 | CHF 0.192 | CHF 9.75 |
| 1250 - 2450 | CHF 0.182 | CHF 9.14 |
| 2500 + | CHF 0.111 | CHF 5.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 823-5500
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-428
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 130 mΩ maximaler Drain-Source-Widerstand – BSS308PEH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontiertes Schalten und Steuern in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und ist für den Einsatz dort ausgelegt, wo ein Schalten mit niedriger Spannung und mittlerem Strom erforderlich ist. Das Gerät wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert und ist mit Anwendungen in Automobilqualität kompatibel.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für 30-V-Drain-Source-Festigkeit für Niederspannungsanlagen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,6 A unterstützt moderate Lasten
• Eine typische Gate-Ladung von 5 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Umschaltung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Antriebsmargen
• Die Verlustleistung von 500 mW unterstützt das Wärmemanagement
• Ausgelegt für 30-V-Drain-Source-Festigkeit für Niederspannungsanlagen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,6 A unterstützt moderate Lasten
• Eine typische Gate-Ladung von 5 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Umschaltung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Antriebsmargen
• Die Verlustleistung von 500 mW unterstützt das Wärmemanagement
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Lasttrennung in 12-V-Kfz-Systemen
• Ideal für Batterieschutz und Power-Path-Steuerung
• Wird mit DC/DC-Wandlereingangsschaltung verwendet
• Kann zum Schalten von Signalpegeln in Modulen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsplatinen
• Ideal für Batterieschutz und Power-Path-Steuerung
• Wird mit DC/DC-Wandlereingangsschaltung verwendet
• Kann zum Schalten von Signalpegeln in Modulen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsplatinen
Welche thermischen Extreme kann er im Betrieb tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenbaugruppen konzipiert ist.
Wie verhält sich das Gerät in Bezug auf das Gate-Drive-Design?
Mit einer maximalen VGS-Nennspannung von 20 V und einer typischen Gate-Ladung von 5 nC erfordert es eine geringe Ansteuerfähigkeit und schnelle Gate-Treiber, um eine schnelle Schaltung zu erreichen.
Ist das Gerät für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?
Er entspricht den AEC-Q101-Normen und ist somit für viele Kfz-Elektronikdesigns geeignet.
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