Infineon OptiMOS P BSS308PEH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 823-5500
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Preis pro Stück (In einer VPE à 50)
CHF.0.538
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
50 - 50 | CHF.0.538 | CHF.27.031 |
100 - 200 | CHF.0.281 | CHF.14.218 |
250 - 450 | CHF.0.281 | CHF.13.867 |
500 - 950 | CHF.0.269 | CHF.13.515 |
1000 + | CHF.0.269 | CHF.13.223 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 823-5500
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 1,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 2.9mm |
Breite | 1.3mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Serie | OptiMOS P |
Höhe | 1mm |
Preis pro Stück (In einer VPE à 50)
CHF.0.538
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
50 - 50 | CHF.0.538 | CHF.27.031 |
100 - 200 | CHF.0.281 | CHF.14.218 |
250 - 450 | CHF.0.281 | CHF.13.867 |
500 - 950 | CHF.0.269 | CHF.13.515 |
1000 + | CHF.0.269 | CHF.13.223 |
*Bitte VPE beachten |