Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-8258
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF 243.00
- 3'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF 0.081 | CHF 248.46 |
| 6000 - 12000 | CHF 0.081 | CHF 236.34 |
| 15000 + | CHF 0.071 | CHF 221.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8258
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 230mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 230mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS314PEH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 230 mΩ sorgt für eine effiziente Leitfähigkeit bei kleinen Lasten
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Strompfade
• Die typische Gate-Ladung von 2,9 nC reduziert Schaltenergieverluste
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die AEC‐Q101-Qualifizierung für die Automobilindustrie eignet sich für Anwendungen in Fahrzeugqualität
Anwendungsbereich
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Kfz-Steuermodulen
• Wird mit Stromschienen in tragbarer und tragbarer Elektronik verwendet
• Kann für Kleinsignal-Stromversorgungsschaltung in Sensorknoten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Designs, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Integration auf Board-Ebene aus?
Welche Einschränkungen bei der Leistungsaufnahme sollten Entwickler berücksichtigen?
Welche elektrische Grenze regelt die Auswahl des Gate-Antriebs?
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