Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-8258
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.074 | CHF.214.20 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.063 | CHF.201.60 |
| 15000 + | CHF.0.063 | CHF.189.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8258
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 230mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.1 mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 230mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.1 mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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