Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 752-7773
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-298
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 752-7773
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-298
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 4 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – 2N7002H6327XTSA2
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Rds(on) von 4 Ω reduziert Leitungsverluste bei geringen Strömen
• 300 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Kleinsignallasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC sorgt für schnelle Schaltübergänge
• 20 V Gate-Source-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• 500 mW Verlustleistung verwalten thermische Belastung in kompakten Layouts
Anwendungsbereiche
• Ideal für batteriebetriebene Sensor-Schnittstellenschaltkreise
• Wird mit kleinen Relais und Transistor-Ersatzschaltung verwendet
• Kann für Schutzschaltungen in Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für kompakte Power-Management-Module auf Leiterplatten
Welche Gehäusetypen sollte ich für die Planung des Platinenlayouts erwarten?
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Betriebsfähigkeit aus?
Welche mechanischen Abmessungen sind für den Bauteilabstand wichtig?
Wie viele Anschlüsse sind für das Schematisieren und Verlegen verfügbar?
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