Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 826-9412
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (250 Stück, auf einer Rolle mit 250)*
CHF 40.50
Auf Lager
- 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2'750 Einheit(en) mit Versand ab 13. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | CHF 0.162 | CHF 41.41 |
| 500 - 1000 | CHF 0.162 | CHF 39.14 |
| 1250 - 2250 | CHF 0.111 | CHF 27.52 |
| 2500 + | CHF 0.101 | CHF 26.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9412
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS316NH6327XTSA1
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Schalttransistor, der für das Niederspannungs-Leistungsmanagement in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das für Schalt- und Steuerungsaufgaben in Automobil- und Industrieumgebungen geeignet ist, mit einer Gate-Source-Nennspannung, die robuste Antriebsmargen für typische Steuerschaltkreise ermöglicht.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für effiziente Leitfähigkeit und reduzierte Verluste
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt gängige Niederspannungssysteme
• Die Dauerstrombelastbarkeit von 1,4 A bewältigt moderate Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 0,6 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 500 mW eignet sich für enge thermische Budgets
• Die AEC-Q101-Qualifizierung bietet Zuverlässigkeitskriterien auf Automobilniveau
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt gängige Niederspannungssysteme
• Die Dauerstrombelastbarkeit von 1,4 A bewältigt moderate Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 0,6 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 500 mW eignet sich für enge thermische Budgets
• Die AEC-Q101-Qualifizierung bietet Zuverlässigkeitskriterien auf Automobilniveau
Anwendungsbereiche
• Geeignet für das Schalten von Niederspannungslasten in Kraftfahrzeugen
• Ideal für die Point-of-Load-Umwandlung in kompakter Elektronik
• Verwendung mit batteriebetriebenen Systemen, die einen kleinen Formfaktor erfordern
• Kann für die Gate-Steuerung von Motorantrieben in kleinen Betätigungselementen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten Boards
• Ideal für die Point-of-Load-Umwandlung in kompakter Elektronik
• Verwendung mit batteriebetriebenen Systemen, die einen kleinen Formfaktor erfordern
• Kann für die Gate-Steuerung von Motorantrieben in kleinen Betätigungselementen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten Boards
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es an der Platine?
Es verwendet eine Drei-Pin-Konfiguration, die mit Standard-SOT-23-Muster für die Oberflächenmontage kompatibel ist.
Welche maximale Spannung sollte zwischen Gate und Quelle angelegt werden?
Die Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V, was die sichere maximale Gate-Drive-Amplitude definiert.
Welche Aspekte der Gehäusehöhe und der Grundfläche wirken sich auf das Layout aus?
Das Gehäuse hat ein flaches Profil mit einer Höhe von 0,9 mm und eine rechteckige Grundfläche von 2,9 x 1,3 mm für kompakte Leiterplatten-Designs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23