Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 892-2377
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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| 100 - 400 | CHF 0.152 | CHF 15.15 |
| 500 - 900 | CHF 0.141 | CHF 14.44 |
| 1000 - 2400 | CHF 0.141 | CHF 13.84 |
| 2500 - 4900 | CHF 0.131 | CHF 13.23 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 892-2377
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 230mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.1mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 230mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.1mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS314PEH6327XTSA1
Dieser P-Kanal-MOSFET dient als kompaktes Schaltgerät für die Oberflächenmontage für die Niederspannungs-Leistungssteuerung in der Automobil- und Industrieelektronik. Er wurde für den Betrieb im Enhancement-Modus entwickelt und bietet eine kontrollierte Leitung für Leistungspfad- und Lastschaltungsaufgaben über einen breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen eignet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 30 V ermöglicht das Schalten von Niederspannungsanlagen
• Rds(on) von 230 mΩ sorgt für eine effiziente Leitfähigkeit bei kleinen Lasten
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Strompfade
• Die typische Gate-Ladung von 2,9 nC reduziert Schaltenergieverluste
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die AEC‐Q101-Qualifizierung für die Automobilindustrie eignet sich für Anwendungen in Fahrzeugqualität
• Rds(on) von 230 mΩ sorgt für eine effiziente Leitfähigkeit bei kleinen Lasten
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Strompfade
• Die typische Gate-Ladung von 2,9 nC reduziert Schaltenergieverluste
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• Die AEC‐Q101-Qualifizierung für die Automobilindustrie eignet sich für Anwendungen in Fahrzeugqualität
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batteriemanagement- und Schutzschaltungen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Kfz-Steuermodulen
• Wird mit Stromschienen in tragbarer und tragbarer Elektronik verwendet
• Kann für Kleinsignal-Stromversorgungsschaltung in Sensorknoten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Designs, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Kfz-Steuermodulen
• Wird mit Stromschienen in tragbarer und tragbarer Elektronik verwendet
• Kann für Kleinsignal-Stromversorgungsschaltung in Sensorknoten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Designs, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Integration auf Board-Ebene aus?
Das oberflächenmontierbare SOT-23-Format ermöglicht eine kompakte Platzierung und automatisierte Montage auf stark belegten Boards.
Welche Einschränkungen bei der Leistungsaufnahme sollten Entwickler berücksichtigen?
Das Gerät leitet bis zu 500 mW ab, sodass ein ausreichendes Leiterplatten-Kupfer und ein thermisches Layout erforderlich sind, um die Sperrschichttemperatur unter Dauerbelastung zu bewältigen.
Welche elektrische Grenze regelt die Auswahl des Gate-Antriebs?
Die Antriebsspannungen müssen innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle bleiben, um eine Gate-Überlastung zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
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