Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin BSS314PEH6327XTSA1 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
BSS314PEH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

230mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Breite

0.1 mm

Höhe

1.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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