Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.18 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen vorgesehen ist. Er bietet kontrollierte Schaltfunktionen für Niederspannungsschaltkreise und arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, um Automobil- und Industriebedingungen gerecht zu werden, und ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse für platzbeschränkte Designs untergebracht.

• Niedriger Einschaltwiderstand von 280 mΩ reduziert Leitungsverluste und den Bedarf an Kühlkörpern
• Maximaler Ablassstrom von 1,18 A unterstützt mäßige Lastschaltfähigkeit
• Die Drain-Source-Nennspannung von 20 V ermöglicht einen sicheren Betrieb in 12-V-Systemen
• Eine typische Gate-Ladung von 3,6 nC ermöglicht ein schnelleres Schalten mit geringerer Antriebsenergie
• Die Verlustleistung von 500 mW begrenzt die thermische Belastung bei Designs mit geringem Stromverbrauch
• Die Nenn-Gate-Source-Toleranz von 12 V gewährleistet Widerstandsfähigkeit gegen Gate-Overdrive

• Geeignet für High-Side-Schaltung in Batteriemanagementsystemen
• Ideal für Lasttrennung in Kfz-Hilfsstromkreisen
• Wird zur Steuerung von DC/DC-Wandlern in kompakten Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schutz vor Verpolung in 12-V-Installationen verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegelumschaltung in Sensorschnittstellenmodulen

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für extreme thermische Umgebungen.

Er wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die automatisierte Platzierung und das Löten von Leiterplatten konzipiert ist.

Das Gerät nimmt bis zu 12 V zwischen Gate und Quelle auf

Er erfüllt die AEC-Q101-Standards, die für viele Kfz-Elektronikdesigns geeignet sind.