Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 145-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.189.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.063 | CHF.182.70 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.063 | CHF.173.25 |
| 15000 + | CHF.0.053 | CHF.160.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2
Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.18 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
