Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 124-9035
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.96.00
Auf Lager
- 63’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.032 | CHF.97.65 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.032 | CHF.81.90 |
| 15000 + | CHF.0.021 | CHF.75.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9035
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-323